EN
AR
HR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RU
ES
SV
TL
ID
LT
SR
SK
UK
VI
HU
TH
TR
MS
GA
CY
AZ
LO
LA
MN
NE
MY
KK
UZ
- Parametrum
- Producta Relata
Parametrum
Cum diversis materiaux ligantibus, praestantia SIC, conditio operativa et vita omnes differunt. Classificatio sequitur,
1.Cum luto ligato
In refractariis carbidi silicis, lutum est commune maximum, pretium minimum et processus simplissimus. Praesentia, in industria ceramica Sinensis, lutum in magna quantitate carbidi silicis fornace utilisatur. Aluminium, oxygenium et carbis silicis in luto inter se reagentur ad 1120 ~ 1150 ℃.
Quantitas luti in productis communiter non superat 15%, pulvis minutus in ingredientibus non debet esse nimius, alioquin facile oxidatur. Contentio carbidi silicis est inter 50% et 93%. Ad faciendum saggam, subposita et NC-G utilisatur.
2. Alligatio cum SiO₂
Additur circa 10% SiO₂ (pulvis microparticulatus et pulvis quartzi) in carbide silicis. Particulae carbidi silicis oxidantur ad generandum pelliculas SiO₂ et alligant particulam carbidi silicis durante processu sinterationis.
Quoniam puritas materiae prima eius est alta, qualitas mixta parva est. In atmosphaera altiore supra 1200 ℃ oxygenii copiosa utilisari potest. Commune est ad faciendum tabulas tectae et supportes.
3. Ligatura cum mullite
Mullite (5% ~ 8%) et carbonum silicium ut materia prima, pulpum aut dextrinam ut ligaturam, formatum per coctionem ad 1380 ℃, ubi mullite coniungitur cum carbonio silicio firma coniunctione.
Productum bonas proprietates habet, resistens caloris impetu et bene resistens oxidationi comparatum cum lutum et SIO ligando. Praesentia, usus in fornace ceramica.
4. Reactio et coctio
Addere pulvis silici metallici et carbonis in carbonio silicio (graphitum, nigros carbonis, etc.) ad 1450 ℃ sepultus est carbonis combustio, pulvis silici et carbonis reactio format bassa temperatura beta SiC, quae coniungit primitiva particula carbonii silicio.
Quia producta communiter continent liberum silicium 8% ~ 15% et parva quantitas liberi carbonis, itaque temperatura usus infra 1400 ℃. Conductionis caloris et impactus resistere bonum est, sed fortitudo, duritia et corrosio resistere infirma sunt. Reaction sintered silicium carbide producta paene immutabilia sunt ante et post coctionem, itaque possunt excoriari in quodvis formam et magnitudinem, praesertim pro grandibus dimensionibus et complexis formis.
5. Conligentia cum nitride silicii
Alta temperatura proprietates nitridi silicii possunt uti veluti conligentia producta carbidi silicii, et nitridus silicii et carbidi silicii producta sunt recentissima alta technologia carbidi silicii refractaria materia.
Nitridus silicii conligentia cum carbide silicii producta cum bonis proprietatibus physicae et chimicae, alta temperatura proprietates, usus temperatura 1500 ℃, abrasivus, metallurgia et cotidiana, electronica ceramica et aliae industriae late utuntur. Veluti fornax habet latos prospectus.
6. Ligatura cum silicio oxynitride
Proprietates eius sunt proximae productis silici nitride et carboni silici, et proprietates anti-oxidantiales superiores sunt. Silicium oxynitride distributum per reactionem est circumdata circa particulas carboni silici et eam strictissime ligat ut carbonium silici excellentem resistentiam oxidationis conservet.
| Gradus | SiC% | C.F% | Fe₂O₃% |
| ≥ | ≤ | ||
| SiC98 | 98.0 | 0.3 | 0.3 |
| SiC97 | 97.1 | 0.5 | 0.5 |
| SiC96 | 96.1 | 0.6 | 0.6 |
| SiC95 | 95.5-96.8 | 1 | 0.7 |
| SiC94 | 94.5-95.8 | 1.5 | 0.8 |
| SiC93 | 93.5-94.8 | 2 | 1 |
| SiC92 | 92.5-93.8 | 2.5 | 1.2 |
| SiC90 | 91.0-92.5 | 3 | 1.5 |
| SiC89 | 90.5-92.0 | 3.5 | 2 |
| SiC88 | 89.5-91.0 | 4 | 2.5 |
VANTAGIA
1. Fortitudo magna
2.Alta conductio thermica
3.Bona resistencia ad impetum
4.Resistentia ad oxidationem
5. Adversitas vestimentorum et adversitas corrosivitatis
Applications
1. Abrasivum, Friens, Metallurgia, Ignisresistentia, Ceramicum, Petrolaeum, Chemicum, Microelectronicum, Automobilium et Aerospacium et cetera.
2. Fornax coctionis ceramicorum et fornaces destillationis cylindricae verticales pro industriis fusi bismuthi et zincum.
3. Producta ceramicorum carburi silicis sicut lateres carburi silicis, revestimenta vasorum electrolitici aluminii, crateres, et refractaria parva fornacum.
Sarcina
